存儲器“漲”勢不停 中國有望填補產能缺口

【內蒙古鄂爾多斯電子有限公司主營SMD功率電感器、塑封繞線片式電感器、有機實芯電阻器等】全球存儲器市場風云變幻，中國作為終端產品消費大國，自然也免不了遭受影響。為此，國內存儲器相關企業動作頻頻，在外部供應不足的情況下，積極加大投資或釋放產能，以期填補供應鏈缺口，進一步擴大市場份額。

前不久，紫光宣布投資300億美元在南京建設半導體產業基地，主要生產NAND FLASH、DRAM存儲芯片等。據了解，這個工廠建成后將是迄今為止中國規模Z大的芯片制造廠，預計月產能將達10萬片。

今年年初，中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲器)芯片，此類芯片密度比DRAM內存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，且性能遠遠優于DRAM。由此可見，中芯國際對于存儲器市場早已勢在必得。

作為消費電子產業核心元器件，存儲芯片受制于人并不是長久之計。市場上，存儲器產品的供不應求也為國產化提供了契機，企業應該抓住機遇實現自主化生產，從而擺脫進口的依賴，提升競爭實力。